磁阻(GMR)传感器技术
GMR能够改善信号噪声，提高分辨率，或降低给定解决方案所需的磁场水平(较小的磁铁，较大的空气间隙等)。此外，与通平面敏感霍尔技术相比，平面内对晶圆或IC表面的传感能够创建新的、更健壮的差分磁解决方案。
Allegro在霍尔效应传感器集成电路领域取得了多项重大进展，包括斩波稳定、垂直霍尔效应技术、圆形垂直霍尔(CVH)阵列和非侵入式高速硬件诊断。我们也是极少数直接在半导体晶圆上集成GMR技术的IC制造商之一，这提高了可靠性，简化了设计。
我们新的尖端隧道磁阻(TMR)效应技术与公司的垂直霍尔技术(VHT)相结合，为设计人员提供卓越的异构冗余传感器解决方案，为汽车和机器人行业的先进自动化水平提供行业领先的精度。
GMR能够改善信号噪声，提高分辨率，或降低给定解决方案所需的磁场水平(较小的磁铁，较大的空气间隙等)。此外，与通平面敏感霍尔技术相比，平面内对晶圆或IC表面的传感能够创建新的、更健壮的差分磁解决方案。
GMR能够改善信号噪声，提高分辨率，或降低给定解决方案所需的磁场水平(较小的磁铁，较大的空气间隙等)。此外，与通平面敏感霍尔技术相比，平面内对晶圆或IC表面的传感能够创建新的、更健壮的差分磁解决方案。
创新的TMR技术专为高级驾驶辅助系统(ADAS)应用而设计，可提高分辨率和精度，灵敏度高达GMR的8倍。亚博尊贵会员与传统的霍尔效应传感器相比，分辨率的提高更加明显。
Allegro开创性的基于tmr的解决方案是与主要市场领先客户密切合作开发的，正在为安全关键系统和明天的自动驾驶汽车重新定义传感技术的未来
创新的TMR技术专为高级驾驶辅助系统(ADAS)应用而设计，可提高分辨率和精度，灵敏度高达GMR的8倍。亚博尊贵会员与传统的霍尔效应传感器相比，分辨率的提高更加明显。
Allegro开创性的基于tmr的解决方案是与主要市场领先客户密切合作开发的，正在为安全关键系统和明天的自动驾驶汽车重新定义传感技术的未来
磁场对通过导体的电流的影响(“霍尔效应”)于1879年首次被发现。如今，Allegro利用物理的这一基本特性，以及现代半导体技术，构建速度、位置、线性、角度和电流传感器。我们的霍尔效应传感器集成电路(ic)将霍尔元件与其他电路(如运算放大器和比较器)结合起来，以制作数字位置传感器和速度传感器，以及具有模拟输出的线性和角度传感器。
磁场对通过导体的电流的影响(“霍尔效应”)于1879年首次被发现。如今，Allegro利用物理的这一基本特性，以及现代半导体技术，构建速度、位置、线性、角度和电流传感器。我们的霍尔效应传感器集成电路(ic)将霍尔元件与其他电路(如运算放大器和比较器)结合起来，以制作数字位置传感器和速度传感器，以及具有模拟输出的线性和角度传感器。