背部偏置包装进展(SE,SG,SH和SJ与SA和SB)
背部偏置包装进展(SE,SG,SH和SJ与SA和SB)
由Daniel Dwyer,All亚博棋牌游戏egro Microsystems,LLC
抽象
除了在过去十年中大厅传感器IC技术的进步之外,Allegro™Microsystems还在背部偏置设备中产生了显着的封装进步。磁路元件和高温材料的使用导致在最终传感器模块产品中使用它们的制造商的总系统成本较低。创新的包装设计和装配技术生产了更小,更强大的设备。
SA和SB包装
Allegro的SA和SB代表第一代背部偏置包。SA和Sb由机械组装的部件组成,其超声焊接到成品包装中。模塑霍尔效应IC提供了系统的大脑,极靴和稀土颗粒增强了磁路,而壳体和端盖提供包装壳。
SA和SB只有其尺寸;SB长7毫米,而SA长度为9毫米。较大的SA主要用于单元素霍尔效应装置,其需要比差分装置更大,更复杂的磁体系统。
图1. SA差分包装的分解视图。
SE,SG,SH和SJ套餐
与SA和SB一样,较新的SE,SG,SH和SJ封装具有齿轮齿传感IC的所有所需元件。与SA和SB不同,新包装的功能部件被组装,然后在单个步骤中模制。请参阅图2以查看SB封装的横截面和图3,以查看SG包的横截面。SG包横截面也代表SE,SH和SJ。SE适用于TPO的较大,特别设计的稀土颗粒(真正的电源)和接近感测,而较小的SG,SH和SJ封装接受用于速度和方向感测的差动颗粒。
图2. SB包横截面。
图3. SG包横截面。
SE,SG,SH和SJ Leadframes
这四个包装具有相同的制造过程和封装尺寸,它们确实具有明显不同的引线框架。SE,SG和SJ有四个引线,并与开放电池,3线装置一起使用,而SH有两个宽的引线,用于2线装置。SH的两个引线比SG的两个引线宽,以便于焊接或焊接。SE和SJ具有比SH更窄的引线,但它们被涂抹以方便焊接和焊接。
SG | SH. | SJ. | SE. |
图4.高级包的等距视图。 |
在所有四个封装中,引线已经大小并间隔开,使得将它们抵靠封装不会增加包装壳体包络的外径。
在发货期间,将热塑性铅杆模制在引线端到端控制铅共面和直线度。
包装背面的模制特征可促进后续组装步骤期间的取向和位置。请参阅图5。
图5. SG封装等距在反面上显示功能。
SE,SG,SH和SJ包优势
专利的Allegro SE,SG,SH和SJ封装允许稀土颗粒在第一代封装中靠近IC(参见图2和3)。该几何优势允许该装置满足大的气隙性能,其颗粒比标准包装中的颗粒较小。由此产生的小包装适合今天的齿轮齿传感应用的紧密间距。亚博尊贵会员
组装在SA和SB中所需的间隙导致整个包装内部的空隙(参见图1)。由于SE,SG,SH和SJ没有这种空隙,因此散热得到改善,并且消除了在随后的灌封操作期间发生的空气截留。
通过SE,SG,SH和SJ封装中存在的减少的导热路径来实现散热的进一步改善。由于单步模塑过程,消除了IC在IC的引线框架和颗粒之间通常看到的塑料层。增加的导热性通过颗粒表示更大的散热能力,允许在较高的环境温度下进行操作。请参阅图3。
SE,SG,SH和SJ解决方案优势
- 小包装尺寸
单步热固性成型允许磁性效率提高和降低颗粒尺寸的紧密颗粒/ IC接近。单步热固性成型步骤还允许较薄的墙壁,并导致较小的封装尺寸。 - 简单的系统实现
带有优化颗粒的后偏置封装在小型稳健的包装中需要最小的磁路设计专业知识。 - 高温操作
用于改进的散热的单一步骤热固性模制在升高的温度下提供操作。 - 强大的后处理
单步模塑消除空隙,并阻止在灌封或包覆成型期间产生气泡。 - 易于焊接和焊接
SE,SH和SJ封装的优化引线配置提供简单的焊接和焊接。
包矩阵表 |
||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
包 |
制造 |
大厅IC类型 |
接口 |
案例直径 |
案例深度 |
|||
机械 |
塑造 |
单 |
微分 |
3线 |
2线 |
|||
SA |
X |
X |
X |
X |
9. |
9. |
||
SB. |
X |
X |
X |
X |
X |
9. |
7. |
|
SE. |
X |
X |
X |
10. |
7. |
|||
SG |
X |
X |
X |
8. |
5.5 |
|||
SH. |
X |
X |
X |
8. |
5.5 |
|||
SJ. |
X |
X |
X |
8. |
5.5 |