质量标准和环境认证

ACS758电流传感器IC常见问题解答

差异是每个版本的输出灵敏度(mV/A)和它们的工作温度范围。操作温度也与最大电流范围有关。
从外部看，这些包是相同的，并且具有相同的内存占用。在内部，CB封装引线框有更大的横截面积，导体通过霍尔效应装置。因此，CB封装导体的电阻只有100µΩ，而CA封装导体的电阻为130µΩ。此外，CB铁芯由层压钢制成，其饱和点(在更高的温度下)比CA封装内部的铁氧体铁芯高得多。
是的。在ACS758系列使用霍尔效应的技术，其能够感测具有直流和交流分量的电流的。由于数据表州，ACS758的带宽为120 kHz的典型。可以存在相位滞后和输出AC电流与频率含量大于120千赫兹的振幅衰减。对于瞬态电流信号，响应时间是≈4微秒。
不，ACS758感应范围内的最大电流是200 A的绝对电流。ACS758封装内的磁路不会提供高于200a产生的磁场水平的线性输出。
使用ACS758使用模数转换器时，此功能特别有价值。A / D转换器通常从参考电压输入导出它们的LSB。如果参考电压变化，则LSB将按比例变化。ACS758的比率特征意味着其增益和偏移与其电源电压Vcc成比例。如果ACS758的参考电压和电源电压从相同的源导出，则ACS758和A / D转换器都将跟踪这些变化，并且这种变化不会是模数转换中的错误源ACS758输出。图1是当不同VCC时ACS758-100A的初级电流，IP，输出电压，VOUT的曲线图。偏移和灵敏度水平与VCC成比例地转移。例如，当Vcc = 5.5 V时，0输出为5.5 / 2 = 2.75 V标称值，灵敏度为22 mV /标称值。
图1


图1. ACS758-100A VOUT与IP在不同VCC
快板建议使用VCC和GND端子之间0.1μF的旁路电容。该电容应尽可能靠近的ACS758包体。
不，ACS758灵敏度和0-Ampere（静止）电压电平在工厂编程。

ACS758系列电流传感器ic的当前分辨率受到设备输出信号噪声底限的限制。例如，ACS758-050版本可以通过主导体引线在25°C下解决电流水平约250 mA的变化。200a版本的分辨率约为380 mA。在这些水平上，耦合到线性霍尔效应集成电路的磁场量刚好高于其噪声底。对于需要较低带宽的应用程序，通过过滤ACS758的输出可以显著提高分辨率。亚博尊贵会员表1列出了不同带宽下的噪声水平，以及当前的分辨率。滤波是用一个简单的一阶RC滤波器完成的。请注意相关的图2到图5，它们提供了对可以通过过滤实现的设备输出分辨率的更好理解。

表1. ACS758噪声水平和当前分辨率与带宽
设备 带宽3 dB
（千赫）		 噪音
（MVP-P）		 电流分辨率
（嘛） （占全规模的百分比）
ACS758-200B. 120. 3.84 384. 0.192
10. 0.92 92 0.046
1 0.55 55 0.028
0．2 0．15 15. 0.008
ACS758-150B. 120. 4.36 328. 0.219
10. 1.08 81 0.046
1 ０．５２ 39. 0.026
0．2 ０．１６ 12. 0.008
ACS758-100B 120. 5.69 285 0.285
10. 1.49 75 0.075
1 0.67 34. 0.034
0．2 0.22 11. 0.011
ACS758-50B. 120. 10.03 251. 0.502
10. 2.95 74 0.148
1 1.05 26. 0.053
0．2 0.43 11. 0.022

图2a
图2A

图2b
图2B.


图3A
图3A


图3b
图3B.


图4a
图4A


图4b
图4B.


图5一个
图5A


图5 b
图5B.

典型的ESD耐受范围是6kv人体模型，600v机器模型。
为了安全地进行200个甲电流，在ACS758电源引线框架已经被构造为具有相对重的量规。由于这种大尺寸的，终端引线不是很灵活。如果ACS758是表面安装的，少量的板弯曲，或通过热膨胀和收缩的时间的动作，可能会打破IC关闭板。快板不建议的表面安装该装置的组装。
为了确保与电路板的牢固连接，Allegro建议在两个携带被感知电流的宽主导体引线的焊锡垫区域周围增加一个通孔环。这些孔如图6所示。对CA和CB封装的一般焊接建议已添加到应用说明中。Allegro产品的焊接方法(SMD和通孔)“。
Allegro建议采用锡熔焊技术。这个方法在我们的应用笔记中有描述。使用Hall效应设备设计子组件的指南“。
是的，图6显示了-PFF导联配置的推荐占用空间。部分(A)，特别是信号引脚的三个小通孔，也适用于-PSF配置(它有直初级导体引线)。
图6.
图6。ACS758 PFF配置建议PCB布局
是的，从下载：Allegro_CA_CB_EvalBoard（压缩）。
是的，可以从以下内容下载AutoCAD 2004 .dxf文件：Allegro_CA_CB_EvalBoardDXF（压缩）。
在这些文件中，铜区域被定义为“区域”。
评估板使用4盎司。铜。
初级电流路径端子的温度可用于估计包装内部的管芯的温度。从图7中可以看出，初级电流路径端子的侧面的温度靠近封装情况，将与封装内部的初级电流路径桥几乎相同的温度。包装内的管芯在该温度下约1°C。为了测量包装内的温度，在图8所示的位置中的任一个位置焊接热电偶，然后减去1℃给出的模具温度估计非常好。芯片温度应保持在数据表中所指定的范围内，了解正在使用的ACS758的版本。
热曲线
图7.主要电流路径的温度曲线


焊接点
ACS758包的图8.顶视图与热电偶位置
应注意尽量减少电流路径的电感来衡量。另外，应注意，以减少在主路径中的任何连接的接触/连接电阻。
典型的测量电感与测试信号频率为:
  • 32 nH的在10千赫
  • 在100 kHz时24 NH
  • 21 nH的200千赫
不，ACS758系列是无铅的。所有的信号引脚和端子都镀上了100%哑锡，封装内没有铅。
重量程引线架由无氧铜制成。
在ACS758包含不仅充当由IP所产生的磁通线的集中器，也可作为一个屏蔽，以保护不受环境的共模场霍尔IC电路的集中芯（典型抑制共模场的是-41分贝）。结果示于图7，其将输出电压VOUT，非屏蔽线性传感器IC霍尔效应的并且该ACS758的详述。所述装置具有相同的增益，并暴露于相同的磁场，通过封装的顶部施加在空气芯。
图7
图7。ACS758在杂散磁场中的性能
ACS758系列已被认证由美国保险商实验室以下标准：
  • IEC 60950-1：2001，第一版
此外，ACS758系列已通过TÜV America认证以下标准:
  • UL 60950-1：2003
  • EN 60950 - 1:2001
  • CAN / CSA C22.2号60950-1：2003
霉菌化合物识别为UL94V-0。
ACS758xCB-050在500ms的VCC爬升期间的典型输出行为如图8中0 a和50 a所示:

图8
图8。ACS758接通电源的性能。IP = 0 A的VCC上升
5 V/500 ms旋转速率;C1：VCC = 2 V /分，C2：VOUT = 2 V /分，时间= 50.0毫秒/格。


图8 b
图8 b。ACS758接通电源的性能。IP = 50 A的VCC提升
5 V/500 ms旋转速率;C1：VCC = 2 V /分，C2：VOUT = 2 V /分，时间= 50.0毫秒/格。
表2和图9中给出了有效输出的典型时间。但是，我们建议使用3倍至5倍的安全保证金，以考虑对过程和温度范围的接通时间变化。

表2. ACS758有效输出的时间
(以VCC.= 5 v）
一世P.（一种） 0. 50
通电时间（微秒） 8. 10.

图9A

图9。在0A的情况下启动ACS758-50A，然后从0到5 V进行一个VCC步骤
5 V/500 ms旋转速率;C1: VCC = 2 V/div。C2: VOUT = 2 V/div。，时间= 10µs/div


图9B.
图9B。ACS758-50A的启动用50 A用于，那么VCC步骤从0到5伏
5 V/500 ms旋转速率;C1: VCC = 2 V/div。C2: VOUT = 2 V/div。，时间= 10µs/div
传感器IC的输出可能发生振荡。
传感器IC可能不会产生输出，因为其输出驱动器将无法提供足够的电流。
由于其低的，100μΩ内部阻力，ACS758传感器IC的CB包的过电流能力高度依赖于在其上安装有汇流条或印刷电路板的特性。在一个印刷电路板安装，迹线宽度和厚度，层的数量的情况下，存在或不存在的地面和/或电源层，并携带和关闭板的电流的电缆的规格都显著因素。这也取决于你的应用程序和持续时间，占空比和电流脉冲的数量过流事件期间的最高工作温度。通过举例的方式，我们有特点的快板ACS758评估板ACS758设备，连接到具有2条AWG电缆电流源。这的2层基板与4-盎司铜。
结果如表3所示。

表3。测试最大ACS758过流电平和持续时间
（适用于ALLGRO ASEK 758评估板上的设备，与2 AWG电缆连接）
环境温度
（°C）		 最大电流
（一种）
10秒，占空比为10％，施加100个脉冲
25. 350.
85 350.
150 260.
3 S，3％的占空比，100个脉冲施加
25. 450.
85 425.
150 375.
1秒，1%占空比，施加100个脉冲
25. 1200
85 900
150 600
通过将高频正弦频率注入高电流引线来进行引线帧噪声抑制测试。然后测量到霍尔效应装置的输出上的信号耦合。ACS758系列设备具有高水平的引线噪声噪声抑制，因为表4显示。此外，图10作为频率函数的性能图表。

表4.电流路径上的20 V峰峰值信号的典型电容耦合
f (MHz) 1.0 2.0 3．0 4．0 5．0 7.5 8．5 10.0 15．0 18.0 20.0
V.出（P-P）(mV) 15．0 50.0 100.0 200.0 250.0 700.0 750.0 1000.0 1020.0 1050.0 600.0
噪音抑制(dB) -62.5 -52.0 -46.0 -40.0 -38.1. -29.1. -28.5 -26.0 -25.8 -25.6 -30.5

杂散磁
图10. ACS758-50A噪声抑制与频率

是的，从下载：CA / CB包.STP模型